功率晶体管型感应加热电源，包括MOSFET电源、IGBT电源等，它们都是固态感应加热电源。但是它们在特性及参数、逆变器上还是有一定的差异。一般输出功率小于20kw的电源，采用单相交流电源供电，大于20kw的采用三相交流电源供电。由于频率的原因，一般高频电源多采用 MOSFET（频率大于100khz）。

      MOSFET的特性及参数
 
       MOSFET在结构上是单面晶片上，制作成千上万个小的晶体管以并联的方式连接起来的，具有能承受相当高的电压、较大的电流。驱动功率小，以及开关速度快的性能。MOSFET的种类繁多，按导电沟道可分为P沟道和N沟道。器件有三个三个电极，分为栅极G、源极S和漏极D。当栅极电压为零时，源极和漏极之间就存在导电沟道的称为耗尽型。对于N沟道器件，栅极电压大于零时存在导电沟道；N沟道和P沟道器件都称为增强型MOSFET，在MOSFET的应

用中主要使用N沟道增强型。

       1.MOSFET的转移性和输出特性

       2.开关特性 MOSFET是场控型器件，直流或低频工作状态时，几乎不需要输入电流；但是在高频开关工作状态时，由于要对输入电容C进行充放电，故需要一定的驱动功率，开关频率越高，所需要的驱动功率越大。

       MOSFET高频逆变器

      用于感应加热的高频逆变器，主要有电压型串联谐振和电流型并联谐振逆变器。具有自关断能力的功率晶体管MOSFET的中、小功率逆变器，多采用电压型串联谐振逆变器；大功率则多采用电流型并联谐振逆变器。由于功率晶体管再功率、控制性能和可靠性设计方面取得的进步，使的高频电源的额定输出功率达到600kw，频率达到400khz，逆变器效率在85%-90%，整机效率达到74%-77%。一般输出功率小于20kw的电源，采用单相交流电源供电，大于20kw的采用三相交流电源供电。由于频率的原因，一般超音频电源多采用IGBT（频率在10-100khz）。

       IGBT超音频及高频电源

       超音频感应加热设备主要使用具有自关断能力的开关器件IGBT。电路形式有电压型串联谐振式逆变器和并联谐振逆变器。目前大功率的IGBT的关断时间达到ns极，这使得在超音频频段（10-100khz）的感应加热电源具有优良的技术指标，在中频段（1-10khz）也采用了IGBT制造的中频感应加热电源。IGBT的制造水平已达到1800A/4500V，开关频率200khz。随着对模块的频率和功率要求的提高，国外已开发出一种平面式的低电感的模块结构，进而发展到把芯片、控制和驱动电路、过压、过流、过热和保护电路封装在同一绝缘外壳内，制作称为智能化IGBT模块。它是智能化功率模块IPM的一种，这将为电力电子逆变器的高频化、小型化、高可靠性能奠定了器件基础，也为简化整机设计、降低制造成本、缩短产品化的时间创造了条件。IGBT是双极型晶体管和MOSFET晶体管的复合。双极型晶体管饱和压降低、载流密度大，但驱动电流也大。MOSFET为电压驱动型，故驱动功率小、载流密度小、开关速度快，但导通压降大。IGBT则综合了两种器件的优点，成为驱动功率小且饱和压降低的新型器件。